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在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序,主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等往复循环。薄膜沉积工艺中ALD技术即原子层沉积(AtomicLayerDeposition)是精细制程、深沟槽和立体结构中必选的工艺。ALD所需的前驱体多为MO源(金属有机源)产品,一般要求纯度达到99.9999%以上,杂质浓度达ppb级别以内,工艺复杂,需要超高的金属有机合成和高纯度提纯的能力,代表着行业最高科研能力。

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2009年,Miyaska课题组将钙钛矿材料MAPbI3用作燃料敏化太阳能电池的光伏活性层,正式开启了钙钛矿太阳能电池的新纪元。ALD凭借其均匀成膜性、精准控制厚度和保形性等多种优势,在光伏领域中发挥着重要作用。除此之外,ALD技术还可用于锂电池薄膜涂层,提高电池性能。

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应用:电子传输层、钝化保护层

优势:低温工艺、均匀成膜性、台阶覆盖率好

作用:阻隔钙钛矿与电极扩散、阻隔空气、传输电子

锂电池

应用:电极涂层

优势:保形性、无孔隙、精准控制厚度

作用:延长锂离子电池寿命、提高产品安全性

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随着泛半导体行业的发展,对微型化和集成化要求越来越高,尺寸缩小至亚微米和纳米量级,ALD作为一种高精度薄膜沉积技术,可用于晶体管栅极电介质层(高K材料)、金属栅电极、有机发光显示器涂层、铜互联扩散阻挡层、DRAM电介质层、微流体和MEMS涂层、传感器等众多领域。

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由于 ALD 具有的三维共形沉积和大面积均匀性特点,已成功应用于高质量光学薄膜、增透膜、折射率可调的光学薄膜、波状多层膜,改善了光子晶体的光学性质和可控性,增加了光子晶体在未来光学器件中的应用潜力。

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在半导体领域,公司主要致力于高纯半导体薄膜 (ALD、CVD)前驱体材料的自主研发和生产,成立以来,已陆续向多家半导体客户提供了百余种前驱体新材料,包括高纯硅基前驱体系列、High-k前驱体系列等产品,部分新品已被客户用于5nm以下制程薄膜制备。 公司致力为客户提供优质的产品并建立互信、长久的合作关系,产品具有自主知识产权且原材料国产化,打破国外垄断的同时保证供应链的安全。敦茂新材料愿与国内芯片、高端显示、光伏新能源等高端客户一起携手,解决高端半导体材料的卡脖子难题,早日实现进口替代。

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前驱体用途索引

SiN层 高介电常数前驱体(High-K) 低介电常数前驱体(Low-k) 铜互连层 钙钛矿光伏电池
DIS TDMAH BDEAS CCTBA TDMASn
TEMAH BTBAS PDMAT PbI2
TDMAT 3DMAS PbBr2
TDMAZ
TEMAZ
Cp-Zr
Cp-Hf

前驱体元素索引

硅 Si 铪 Hf 锆 Zr 钛 Ti 钴 Co 钽 Ta 钌 Ru
DIS TDMAH TDMAZ TDMAT CCTBA PDMAT Ru(EtCp)2
BDEAS TEMAH TEMAZ
BTBAS Cp-Hf Cp-Zr